- Sections
- C - Chimie; métallurgie
- C23C - Revêtement de matériaux métalliques; revêtement de matériaux avec des matériaux métalliques; traitement de surface de matériaux métalliques par diffusion dans la surface, par conversion chimique ou substitution; revêtement par évaporation sous vide, par pulvérisation cathodique, par implantation d'ions ou par dépôt chimique en phase vapeur, en général
- C23C 16/507 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) caractérisé par le procédé de revêtement au moyen de décharges électriques utilisant des décharges à radiofréquence utilisant des électrodes externes, p.ex. dans des réacteurs de type tunnel
Détention brevets de la classe C23C 16/507
Brevets de cette classe: 129
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
Proprétaire |
Total
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Cette classe
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Applied Materials, Inc. | 16587 |
20 |
Tokyo Electron Limited | 11599 |
19 |
Lam Research Corporation | 4775 |
10 |
Sio2 Medical Products, Inc. | 199 |
6 |
Kokusai Electric Corporation | 1791 |
5 |
Mitsubishi Heavy Industries, Ltd. | 8217 |
4 |
ASM IP Holding B.V. | 1715 |
4 |
Eugene Technology Co., Ltd. | 171 |
4 |
Hitachi High-Tech Corporation | 4424 |
4 |
ULVAC, Inc. | 1448 |
3 |
Texas Instruments Incorporated | 19376 |
2 |
Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | 1282 |
2 |
Sumitomo Chemical Company, Limited | 8808 |
2 |
Canon Anelva Corporation | 676 |
2 |
Evatec AG | 152 |
2 |
Nanyang Technological University | 1739 |
2 |
SAMCO, Inc. | 17 |
2 |
Southwest Research Institute | 791 |
2 |
Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | 6132 |
2 |
Samsung Electronics Co., Ltd. | 131630 |
1 |
Autres propriétaires | 31 |